Intel podczas konferencji International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) w San Francisco pochwalił się postępami jakie poczynił w produkcji pamięci STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory). Korzystając z litografii 22 nm firma jest w stanie produkować tego typu nośniki z uzyskiem na poziomie 99,9%.
Jest to o tyle istotne, że MRAM zapowiadany jest jako pamięć, która może w przyszłości zastąpić DRAM i NAND. Jest to pamięć nieulotna, która oferuje ogromną wytrzymałość na zapis i kasowanie (1 mln cykli), a do tego czas dostępu to od 4 do 8 ns w obecnych zastosowaniach, ale w przyszłości może spaść nawet do 1 ns. To znacznie szybciej nawet niż pamięci DRAM. Do tego dochodzi jeszcze dosyć długa retencja danych, pamięć MRAM utrzyma ładunek przez 10 lat nawet przy temperaturze 200 stopni Celsjusza.
W tej chwili Intel produkuje pierwsze partie w litografii 22 nm, ale technologia ta ma się znacznie lepiej skalować niż DRAM i NAND, przez co możliwa będzie produkcja w jeszcze mniejszym wymiarze zapewniając większą gęstość upakowania danych. Co jednak najważniejsze, cała architektura jest dosyć prosta, a uzysk z produkcji przekracza 99,9%. To znacznie redukuje koszty i też przemawia za pamięcią MRAM.
Komercyjnych zastosowań dla tej pamięci jeszcze nie ma, ale Intel wysyła pierwsze sample do swoich partnerów, którzy mogą wykorzystać tą pamięć w swoich projektach. MRAM powinien znaleźć zastosowanie w motoryzacji oraz urządzenia IoT (Internetu rzeczy). W tych projektach zastąpi prawdopodobnie SRAM, bo zapewnia większą odporność i jeszcze lepsze prędkości odczytu i zapisu danych.
Na ten samej konferencji przedstawiciele Intela pochwalili się również możliwościami swoich pamięci ReRAM, które opisywałem już jakiś czas temu. Właściwości tego typu pamięci są bardzo podobne do MRAM, mamy tutaj retencje na poziomie 10 lat, wytrzymałość na 1 mln cykli zapisu/kasowania danych, a odstaje jedynie czas dostępu (~10 ns). Ta technologia również ma się bardzo dobrze skalować w mniejszej litografii i zapowiada się bardzo obiecująco.
źródło: EE Times
Hej, jesteśmy na Google News - Obserwuj to, co ważne w techu
