Samsung podnosi rękawicę rzuconą przez Intela

Niezaprzeczalnie jednym z nich jest biznes związany z produkcją półprzewodników.

Wystarczy wspomnieć wprowadzenie 3D NAND, czy spojrzeć na niedawne przechwałki dotyczące wprowadzenia pamięci graficznej kolejnej generacji – GDDR6. Albo dysk SSD w formie karty M.2 o pojemności aż 8 TB.

Samsung ulepsza znaną technologię

Jednak to właśnie na polu pamięci Intelowi i Micronowi udało się za pomocą 3D XPoint utrzeć Samsungowi nosa. Zasłużone uznanie zdobywane przez dyski Intel Optane podziałało na lidera w segmencie pamięci masowej mobilizująco. Przygotowywane są właśnie SSD z nowo opracowaną technologią Z-NAND. Zanosi się przy tym na wielki powrót pamięci typu SLC (Single-Level Cell).

W początkowej fazie rozwoju SSD wydawało się, że dyski wyposażone właśnie w kości SLC są przyszłością tej formy magazynowania danych. Dosyć szybko okazało się jednak, że są inne sposoby na zapewnienie niezawodności i lepiej pracować nad wzrostem pojemności i obniżeniem ceny za 1 GB. Tak obok dysków z pamięcią MLC pojawiły się modele z TLC, a ostatnio również prototypy QLC.

Czytaj dalej poniżej

Tak działa Linux na telefonie Samsung Galaxy Note 8 Jakub Szczęsny

Samsung Galaxy A5 2018 spełni nasze wymagania, choć cenowo zbliży się do flagowców Albert Lewandowski

Chcąc konkurować w temacie redukcji opóźnień z Optane, Samsung uznał jednak, że warto odkurzyć i udoskonalić pamięć SLC. Dodajmy do tego udoskonalony kontroler i kilka innych zmian, a otrzymamy pamięć o opóźnieniach zdecydowanie mniejszych niż klasyczny NAND. Swojsko brzmiąca latencja ma wartość tylko o połowę większą niż 3D XPoint.

Porównanie osiągów do Intel Optane

Z broszury Samsunga możemy się dowiedzieć, jakiej wydajności można się spodziewać po nowych dyskach nazwanych na dobry początek SZ985. Oczywiście zostało to od razu porównane z Optane P4800X o zbliżonej pojemności. Liczba operacji na sekundę (IOPS) w losowym odczycie – 750K – lepiej wygląda u Samsunga. Porównanie zapisu wypada już jednak na korzyść Intela w stosunku 550K do 175K. SZ985 wygrywa w transferze sekwencyjnym zarówno przy odczycie jak i zapisie. Wytrzymałość liczona współczynnikiem DWPD (drive writes per day) jest natomiast porównywalna.

Jak widać, udoskonalając znaną już technologię udało się uzyskać naprawdę dobre rezultaty. Różnice w osiągach Z-NAND i Optane sprawiają, że zamiast wskazywać na zwycięstwo któregoś z nich, można skupić się na wyborze lepszego rozwiązania do konkretnych zastosowań. Podobnie jak w przypadku dysków Intela, nowe rozwiązanie w pierwszej kolejności skierowane jest do klientów profesjonalnych. Pęczniejący jak na drożdżach rynek Big Data sprawia wrażenie, jakoby był w stanie pochłonąć każdą rzuconą mu na pożarcie ilość GB czy IOPS. Ostatecznie zwycięzce pojedynku będzie można wskazać, gdy poznamy ceny (przelicznik za 1 GB) nowego rozwiązania.

A że Z-NAND nie będzie tani jest bardziej niż pewne. Być może świadomość zaporowych cen typowych dla większości nowinek technicznych w jakimś stopniu jest w stanie ułatwić nam oczekiwanie, aż opisywane dyski Samsunga zaczną być stosowane w naszych pecetach.

Źródło: Samsung, theregister