Samsung poinformował właśnie o rozpoczęciu masowej produkcji układów scalonych w technologii 10 nm LPP (Low Power Plus). Jest to druga, usprawniona metoda produkcji układów w rozmiarze 10 nm, po LPE (Low Power Early). Według wstępnych doniesień, nowy proces pozwoli albo obniżyć o około 15% pobór energii w porównaniu do LPE albo zwiększyć o 10% wydajność, poprzez osiągnięcie wyższego zegara.
Pierwsze układy produkowane w nowym procesie technologicznym trafią do klientów już na początku przyszłego roku. Dzięki nowej technologii nie tylko poprawiono parametry chipów, ale też zwiększono uzysk. Ten parametr jest znacznie ważniejszy dla fabryki Samsunga, bo oznacza, że z jednego wafla krzemu można uzyskać więcej w pełni sprawnych układów scalonych.
Fabryka S3 w Hwaseong, źródło: Samsung
Technologia 10 nm LPP jest jednak tylko przystankiem na drodze ku jeszcze niższym wymiarom. Samsung już teraz produkuje chipy w technologii 8 nm LPP, która nie jest jeszcze na tyle dopracowana aby rozpocząć jej stosowanie na masową skale. W fabryce S3 w koreańskim Hwaseong trwają też prace nad wdrożeniem nowej linii produkcyjnej, która pozwoli na stosowanie litografii ultrafioletowej. Ta technologia ma pozwolić na zejście do wymiaru 7 nm.
Ostatnimi czasy pojawia się coraz więcej plotek jakoby następca Galaxy S8 miał pojawić się już na początku przyszłego roku. W informacji prasowej Samsung wspomina, że rozpoczął właśnie masową produkcję w technologii 10 nm LPP nowych układów typu SoC. Wiele wskazuje na to, że może to być właśnie Exynos 9810, który ma trafić do nadchodzącego flagowca. Poza nieco wyższymi zegarami i trzecią wersją autorskich rdzeni ARM, układ ten ma posiadać też między innymi mocniejszą jednostkę graficzną oraz modem LTE Cat 18. Taka konstrukcja pozwala teoretycznie na osiągnięcie transferów na poziomie 1.2 Gbps dzięki agregacji do 6 częstotliwości naraz.
Hej, jesteśmy na Google News - Obserwuj to, co ważne w techu
